IEC TS 62804-1:2015 晶体硅光伏组件电势诱导衰减检测方法

光伏组件电势诱导衰减概述

IEC TS 62804-1:2015提供了检测晶体硅光伏组件PID的行业标准测试方法。PID是指高电压应力驱使钠离子迁移，造成功率损耗超过30%的现象。

本标准主要针对p型晶体硅组件。PID涉及系统电压、温湿度和封装材料三个因素。

受PID影响的组件功率衰减率可达标准限值的5-10倍。

标准规定了铝箔法、导电橡胶法和水浴法。标准条件：85度C、85% RH、-1000 V偏置、96小时。

电池层：低钠扩散率减反射涂层。组件层：高电阻率封装材料。系统层：主动偏置补偿逆变器。

玻璃-玻璃双面组件具有更优的PID耐受性。

问1：PID能否逆转？
答：85度C下施加正偏压24-48小时可恢复80-95%功率。

问2：PID对所有组件影响相同？
答：不同，n型电池远比p型电池耐PID。

问3：1500 V如何影响测试？
答：需要192小时测试和修改的合格标准。

问4：漏电流与PID的关系？
答：漏电流低于1微安的组件通常表现最小PID。