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IEC TR 62834:2013是由IEC TC 113(电气电子产品纳米技术)编制的技术报告。它建立了涵盖电子和ICT应用的纳米材料和纳米级器件的标准化路线图。路线图采用甘特图格式显示2009年至2020年的标准化优先事项和时间线。
背景部分将纳米技术分类为纳米材料、纳米器件、纳米生物技术和纳米制造工艺。在第一版中,优先考虑ICT“More Moore”领域以更快达成共识,重点关注TC 113专家基础最强的电子应用。
第4条介绍了各种纳米材料的详细标准化场景。零维:纳米颗粒和量子点需要颗粒尺寸分布、形状、表面积、化学成分和纯度的标准。一维:碳纳米管和纳米线需要长径比、手性、电性能和分散质量的标准化测量。二维:纳米结构薄膜和石墨烯需要层数确定、薄层电阻和缺陷密度的标准。三维:纳米孔和纳米复合材料需要孔径分布、填料分散和力学性能的表征。
值得注意的是,路线图将碳纳米管薄膜的薄层电阻表征、耐磨性测试和热特性表征确定为具有直接工业相关性的优先标准化项目。
第5条涉及纳米电子器件,包括非易失性存储器件、3D纳米晶体管(FinFET、环栅)、单电子晶体管(SET)、纳米逻辑器件、碳互连、纳米磁器件和分子器件。
路线图将纳米级非易失性存储器件列为最高优先级,因为其近期市场影响最大。三维纳米晶体管紧随其后,受22纳米节点以下半导体行业路线的推动。碳纳米管互连和单电子晶体管定位于中期标准化。该技术报告对TC 113及相关标准制定组织的工作具有重要指导意义。
| 类别 | 示例 | 优先项目 | 时间线 |
|---|---|---|---|
| 0D纳米材料 | 纳米颗粒、量子点 | 尺寸分布、纯度、表面化学 | 2009-2015 |
| 1D纳米材料 | 碳纳米管、纳米线 | 长径比、电性能、手性 | 2010-2017 |
| 2D纳米材料 | 石墨烯、薄膜 | 层数、薄层电阻、缺陷 | 2012-2018 |
| 3D纳米材料 | 纳米孔、纳米复合材料 | 孔径、填料分散、力学 | 2013-2020 |
| 纳米电子器件 | 非易失性存储、3D晶体管 | 存储、逻辑、互连 | 2009-2020 |
它提供了一个标准化路线图,确定了2009年至2020年纳米电子标准化的优先领域。帮助标准化组织和工业界规划纳米材料和纳米器件的标准化活动。
碳纳米管和纳米颗粒因其先进的商业化状态而最早获得优先权。石墨烯标准化从2012年开始被确定为优先事项。
纳米级非易失性存储器件和3D晶体管(FinFET、环栅)因其在半导体行业22纳米节点以下的近期市场影响而被列为最高优先级。