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IEC/IEEE 62659于2015年作为双标识标准发布,由IEC第113技术委员会和IEEE纳米技术委员会联合制定,定义了作为纳米制造工艺的纳米喷墨打印标准。这项具有里程碑意义的标准满足了在快速发展的纳米喷墨打印领域中对标准化术语、工艺表征方法和质量评估协议日益增长的需求。与传统喷墨打印处理微米级特征不同,纳米喷墨打印涉及将功能性纳米材料——包括导电纳米颗粒、量子点、碳纳米管、石墨烯和生物活性化合物——可控地沉积到基底上,以在纳米尺度上创建功能器件和结构。应用涵盖印刷电子(RFID天线、传感器、薄膜晶体管)、生物医学设备(生物传感器、药物输送基质)、光学组件(光子晶体、微透镜阵列)和能源器件(有机光伏电池、电池电极、燃料电池催化剂)。
标准建立了纳米墨水表征的全面要求。关键参数包括纳米颗粒粒径分布、颗粒形态、表面电荷、固体含量、粘度、表面张力和蒸发速率。墨水在储存条件下必须对沉降和团聚保持至少30天的稳定性,并且必须通过打印头兼容性测试,证明在连续打印60分钟并间隔10分钟停机后无堵塞。这些要求确保纳米墨水在工业打印环境中具有足够的可处理性和可重复性。
液滴形成动力学对打印质量至关重要。标准定义了关键喷射参数:液滴速度、液滴体积、卫星液滴形成和喷射频率。欧内佐格数必须处于0.1至1.0的可打印范围内,以实现稳定的液滴形成。对于纳米墨水,标准特别要求纳米颗粒尺寸小于喷嘴直径的1/50以防止堵塞,并且大于喷嘴直径1/20的团聚体必须在打印前通过过滤去除。
| 参数 | 按需喷墨 | 连续喷墨 | 测试方法 |
|---|---|---|---|
| 粘度(mPa.s) | 2 – 20 | 2 – 10 | 旋转流变仪 |
| 表面张力(mN/m) | 25 – 35(水性);20 – 30(溶剂型) | 25 – 40 | Wilhelmy板法/悬滴法 |
| 纳米颗粒尺寸 | < 喷嘴直径的1/50 | < 喷嘴直径的1/50 | DLS或SEM/TEM |
| Zeta电位(mV) | < -30 或 > +30 | < -30 或 > +30 | 电泳光散射 |
| 固体含量(wt%) | 0.1 – 40 | 0.1 – 20 | TGA热重分析 |
| 欧内佐格数 | 0.1 – 1.0 | 0.1 – 1.0 | 由物性计算 |
| 沉降稳定性 | >= 30天 | >= 30天 | Lumisizer/Turbiscan |
标准规定了纳米喷墨打印系统的过程监测和控制要求。必须实时监测的关键过程参数包括喷嘴温度、基板温度、打印头到基板的距离、环境湿度和液滴体积一致性。推荐使用液滴观察相机系统进行连续液滴可视化,并在整个打印过程中自动调整喷射参数以保持一致的液滴特性。对于高精度应用,闭环控制系统可以根据实时液滴观测值调整喷射电压、温度和波形参数。
打印纳米特征的表征是该标准的主要贡献之一。打印特征尺寸必须使用光学显微镜、扫描电子显微镜或原子力显微镜进行测量,具体取决于特征尺寸。标准定义了线边缘粗糙度要求:对于50微米以下特征,LER必须小于线宽的10%;对于50微米以上特征,必须小于5%。打印薄膜厚度均匀性必须在100 mm x 100 mm打印区域内保持在目标值的+/- 10%以内。打印导电特征的电气表征需要使用四探针法测量薄层电阻,电阻率报告为块体材料电阻率的倍数——烧结后印刷银纳米颗粒迹线的典型值范围为块体银电阻率的3倍至10倍,具体取决于烧结条件和纳米颗粒负载量。
在将纳米喷墨打印从实验室研发规模扩大到生产制造时,需要解决几个工程挑战。首先,基底管理和处理至关重要。标准要求基底平面度在打印区域内保持在+/- 10微米以内,并使用真空或静电夹紧将基底固定在打印台上以防止打印过程中移动。对于柔性基底,卷材张力必须控制在+/- 2 N/m以内以保持尺寸稳定性,且基底在打印前必须在打印环境温湿度条件下调节至少2小时,以防止打印过程中发生尺寸变化。
其次,增加层厚或材料成分梯度的多道打印需要精确的层间对准。标准规定连续打印层之间的对准精度必须优于+/- 5微米,通过基准点识别和带线性编码器的闭环基底定位实现。对于需要多种材料的印刷电子产品应用,标准建议打印次序考虑表面能相容性,并在沉积后续层之前干燥或部分固化前一层以防止混合。各层间的界面特性对最终器件的性能有显著影响。
第三,生产中的质量保证需要基于在线测量的统计过程控制。标准建议在每个功能层后进行自动光学检测,测量特征尺寸、层厚和缺陷密度。验收标准必须根据器件功能要求定义:例如,印刷RFID天线可能需要线宽在目标值的+/- 10%以内,薄层电阻在目标值的+/- 20%以内。统计抽样计划应遵循ISO 2859或等效标准,对任何超标情况进行缺陷核算和根本原因分析。通过系统性的过程控制,纳米喷墨打印可以成为电子制造和其他高科技领域的可行、高质量的生产技术。
| 特征类型 | 特性 | 典型规格 | 测量方法 |
|---|---|---|---|
| 导电迹线 | 线宽精度 | 目标值的+/- 10% | 光学显微镜 |
| 导电迹线 | 线边缘粗糙度 | < 线宽的10% | SEM/轮廓仪 |
| 印刷薄膜 | 厚度均匀性 | 100 mm范围内+/- 10% | 轮廓仪/AFM |
| 导电特征 | 电阻率 | < 块体银的10倍 | 四探针法 |
| 多层对准 | 对准精度 | +/- 5微米 | 基准点检测 |
| 缺陷密度 | 每单位面积的针孔 | < 0.1 per cm2 | 自动光学检测 |