IEC 60119 标准解读：半导体器件电气特性——从锗管到碳化硅的测试演变

半导体器件电气特性——从锗管到碳化硅的测试标准演变

IEC 60119 规定了半导体器件电气特性的测试方法。虽然具体参数因器件类型而异，但基本的正向压降 (V_F)、反向击穿电压 (V_BR)、漏电流 (I_R) 等参数的测量方法都是在这个标准框架下建立的。

持续的演进：从锗二极管到硅整流器再到碳化硅 (SiC) MOSFET，半导体材料在进步，但参数的定义和测量方法——结温控制、脉冲宽度限制（避免自热）、四线 Kelvin 连接——在 IEC 60119 时代就已确立。

TN Lab — 半导体材料在变，测试方法的基本原理不变。